制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:9.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:37 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W, 2.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:40 S

下降时间:6.6 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:13.4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25.6 ns

典型接通延迟时间:6.4 ns

单位重量:340 mg